N 沟道-MOSFET

:FET 类型 N 沟道:(漏源电压(Vdss)75V:(电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)80A(Tc):(驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V:(不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)11 毫欧 @ 40A,10V:(不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)4V @ 250µA:(不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg

  • 品牌: ST
  • 型号: STP75NF75
  • 封装规格: TO-220-3
  • 产品描述: 通孔 N 沟道 pval(2068) 80A(Tc) 300W(Tc) TO-220AB
:FET 类型 N 沟道
:(漏源电压(Vdss)75V
:(电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)80A(Tc)
:(驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
:(不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)11 毫欧 @ 40A,10V
:(不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)4V @ 250µA
:(不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值160nC @ 10V
:(Vgs(最大值±20V
:(不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)3700pF @ 25V
:(功率耗散(最大值300W(Tc)
:工作温度-55°C ~ 175°C
:安装类型通孔
:封装/外壳TO-220-3





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